igbt是什么(igbt是什么和什么的复合管)

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Q1：igbt是什？

IG *** 是Insulated Gate Bipolar Transistor的英文缩写。可以翻译做绝缘栅双极晶体管。 　　IG *** 是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IG *** 消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。 虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IG *** 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IG *** 的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IG *** 驱动器的原理图。 IG *** 基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。 　　IG *** 硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IG *** 增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IG *** 技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。 基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。 　　IG *** 是一种功率晶体，运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能，使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。

Q2：IG *** 是什么意思啊？

IG *** (Insulated Gate Bipolar Transistor) 绝缘栅双极型功率管

Q3：igbt是什么意？

abbr. 绝缘栅门极晶体管（Insulated Gate Bipolar Translator）；绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）

Q4：复合管的分类是什么？

复合管分为两类：一类是普通型复合管，内部无保护电路，像2W以下的中、小功率复合管多属此类；另一类内部带保护电路，大功率复合管便属此类。下表列出了硅NPN型大功率复合管的主要特性参数。

Q5：复合管的应用是什么？

1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路 2、驱动小型继电器 利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如图1所示。虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。 3、驱动LED智能显示屏 LED智能显示屏是由微型计算机控制，以LED矩阵板作显示的系统，可用来显示各种文字及图案。该系统中的行驱动器和列驱动器均可采用高β、高速低压降的复合管。应注意的是，复合管由于内部由多只管子及电阻组成，用万用表测试时，be结的正反向阻值与普通三极管不同。对于高速复合管，有些管子的前级be结还反并联一只输入二极管，这时测出be结正反向电阻阻值很接近容易误判断为坏管，这个请注意。

Q6：IG *** 的额定电流是什？

(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体

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